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VG3617161ET-6 参数 Datasheet PDF下载

VG3617161ET-6图片预览
型号: VG3617161ET-6
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 69 页 / 1125 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
I
DD
特定网络阳离子
(V
DD
= 3.3V
VG3617161ET
1,048,576 ×16 - 位
CMOS同步动态RAM
±
0.3V ,T
A
= 0 ~ 70°C)
-6
-7
最大
最大
-8
最大
单位注
95
3,4
描述/测试条件
工作电流
,输出打开
t
t
RC RC
(
)
地址吨时更换一次
CK (分钟)
.
突发长度= 1 (其中银行活动)
预充电待机电流在非掉电
模式
CKE
V
IH
(分钟)
,
CS
V
IH
( MIN)
t
CK
=t
CK
(分钟)
输入信号在2个时钟更换一次
预充电待机电流在非掉电
模式
CKE
V
IH
(分钟)
, t
CK
=
符号
I
DD1
115
105
I
DD2N
40
40
40
3
I
DD2NS
35
35
35
mA
, CLK
V
IL
(最大)
I
DD2P
2
2
2
输入信号是稳定的
预充电待机电流在掉电模式
CKE
V
IL
(最大)
, t
CK
= t
CK
(分钟)
预充电待机电流在掉电模式
CKE
V
IL
(最大)
, t
CK
=
, CLK
V
IL
(最大)
I
DD2PS
2
2
2
主动待机电流在非掉电模式
CKE
V
IH
(分钟)
, CS
V
IH(分钟)
, t
CK
= t
CK (分钟)
输入信号在2个时钟更换一次
主动待机电流在非掉电模式
CKE
I
DD3N
50
50
50
3
V
IH
(分钟)
, t
CK
=
,
CLK
V
IL
(最大)
I
DD3NS
40
40
40
输入信号是稳定的
主动待机电流在掉电模式
CKE
V
IL
(最大)
, t
CK -
t
CK (分钟)
主动待机电流在掉电模式
CKE
I
DD3P
I
DD3PS
35
35
35
35
35
35
V
IL
(最大)
, t
CK -
,
CLK
V
IL
(最大)
工作电流
(页破灭,所有银行激活)
t
CCD
= t
的CCD (分钟)
,输出开路,无间隙数据
刷新当前
t
RC
t
RC
(分钟)
(t
REF
= 64毫秒)
自刷新电流
CKE
I
DD4
150
140
130
4,5
I
DD5
I
DD6
100
1
90
1
80
1
3
0.2V
文档: 1G5-0189
Rev.1
第5页