欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

VG36643241BT-8 参数 Datasheet PDF下载

VG36643241BT-8图片预览
型号: VG36643241BT-8
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 72 页 / 977 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第9页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第10页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第11页浏览型号VG36643241BT-8的Datasheet PDF文件第12页  
VIS
A.C特点: (大= 0 〜70 ℃, V
DD
= 3.3V
初步
VG3664321(4)1(2)BT
CMOS同步动态RAM
±
0.3V, V
SS
= 0V)
-8H
8
10
6
6
3
3
2
1
2
1
2
1
2
1
3
0
6
6
1
16
20
20
48
70
1
1+ t
RP
8
1
0.2
2
1
1
16
20
20
48
70
1
1+ t
RP
8
1
0.2
2
1
3
3
2
1
2
1
2
1
2
1
3
0
6
6
2
20
26
26
60
90
1
1+ t
RP
10
1
0.2
2
1
VG3664321 (4) 1(2)乙
-8L
8
12
6
6
3
3
3
1
3
1
3
1
3
1
3
0
6
6
最大
10
15
6
6
单位
-10
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
ns
ns
CLK
CLK
ms
参数
CAS
延迟符号
3
2
3
2
t
ck3
t
ck2
t
Ac3
t
Ac2
t
CH
t
CL
t
中正
t
长实
t
AS
t
AH
t
CMS
t
CMH
t
DS
t
DH
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OHN
t
RRD
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
BDL
t
DAL
t
DPL
t
T(1)
t
T(2)
t
RSC
t
SRX
t
REF
最大
CLK周期时间
(1)
CLK到有效输出延迟
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
CKE建立时间
CKE保持时间
地址建立时间
地址保持时间
命令设置时间
命令保持时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
输出数据保持时间
CLK在低输出 - z
CLK在高输出 - z
CLK在高输出 - z空载
行积极主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
在最后的数据以突发停止
数据 - 到ACT ( REF )命令
数据 - 在预充电
转换时间
模式寄存器。集周期
自刷新退出时间
刷新时间
3
2
120K
120K
120K
10
5
10
5
10
5
64
64
64
注:(1 )输入的时钟应该是稳定的和连续的。 (抖动
7% * t
CK
)
文档: 1G5-0099
Rev.1
第8页