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     Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, Bare Die
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    V23990-P589-A418Y-PM

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    GCM219R72A682KA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GJM0335G2A7R4DB01#

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    FFH30S60STU

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    GCM31CL81H105KA55#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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