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| 型号: | AP50G60SW-HF |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer |
| IHS 制造商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 260 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 210 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 49 ns |
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