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| 型号: | A62S6316G-55S |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.56 |
| 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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