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  • A638NN-A204YXZ=P3图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • A638NN-A204YXZ=P3
  • 数量96800 
  • 厂家TOKO-东光 
  • 封装车规-被动器件 
  • 批号▉▉:2年内 
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A63G7332E-4.2产品参数
型号:A63G7332E-4.2
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88
最长访问时间:4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端子数量:100
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:2.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.5 mm
最大待机电流:0.01 A
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.3 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.1 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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