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| 型号: | ACT-F512K8N-150P4Q |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 150 ns |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 |
| 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 部门数/规模： | 8 |
| 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.0016 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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