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ADG419BR详细参数

Brand Name

Analog Devices Inc

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

生命周期

Obsolete

零件包装代码

SOIC

包装说明

MICRO, SOIC-8

针数

8

制造商包装代码

R-8

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8542.39.00.01

风险等级

7.62

其他特性

ALSO OPERATES WITH 12V NOMINAL SINGLE SUPPLY

模拟集成电路 - 其他类型

SPDT

JESD-30 代码

S-PDSO-G8

JESD-609代码

e0

长度

3 mm

湿度敏感等级

1

负电源电压最大值（Vsup）

-16.5 V

负电源电压最小值（Vsup）

-13.5 V

标称负供电电压 (Vsup)

-15 V

信道数量

1

功能数量

1

端子数量

8

标称断态隔离度

80 dB

最大通态电阻 (Ron)

35 Ω

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSSOP

封装等效代码

SOP8,.25

封装形状

SQUARE

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

峰值回流温度（摄氏度）

235

电源

5,12/+-15 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.09 mm

子类别

Multiplexer or Switches

最大供电电压 (Vsup)

16.5 V

最小供电电压 (Vsup)

13.5 V

标称供电电压 (Vsup)

15 V

表面贴装

YES

最长断开时间

160 ns

最长接通时间

160 ns

切换

BREAK-BEFORE-MAKE

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn85Pb15)

端子形式

GULL WING

端子节距

0.65 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

20

宽度

3 mm

Base Number Matches

1