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| 型号: | AFGY100T65SPD |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.3 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 882 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.05 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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