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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号AM29F800BB-120SI的产品参数和AM29F800BB-120SI的使用说明

配单直通车
AM29F800BB-120SI产品参数
型号:AM29F800BB-120SI
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC
包装说明:MO-180AA, SOP-44
针数:44
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.73
Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0
长度:28.2 mm
内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:44
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP44,.63
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V
编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:2.8 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:13.3 mm
Base Number Matches:1
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