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| 型号: | AM3352BZCE60 |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LFBGA, BGA298,19X19,25 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 5A992.C |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 1.21 |
| 地址总线宽度： | 28 |
| 位大小： | 32 |
| 边界扫描： | YES |
| 最大时钟频率： | 26 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 16 |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | YES |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B298 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm |
| 低功率模式： | YES |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| DMA 通道数量： | 64 |
| 端子数量： | 298 |
| 片上数据RAM宽度： | 8 |
| 最高工作温度： | 90 °C |
| 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA298,19X19,25 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 0.95/1.1 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字数）： | 131072 |
| 座面最大高度： | 1.3 mm |
| 速度： | 600 MHz |
| 子类别： | Microprocessors |
| 最大压摆率： | 400 mA |
| 最大供电电压： | 1.144 V |
| 最小供电电压： | 1.056 V |
| 标称供电电压： | 1.1 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 13 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROPROCESSOR, RISC |
| Base Number Matches： | 1 |
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