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TYSEMI AO3402
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VDS (V) = 30V ID= 4 A RDS(ON) 55m (VGS = 10V) RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V)
VDS (V ) = 30V ID = 4的RDS(ON) 55米( VGS = 10V ) RDS ( ON ) 70米( VGS = 4.5V )
SHENZHENFREESCALE AO3402
中文翻译
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Low thermal impedance
N通道20 -V (D -S ) MOSFET低热阻
AOSMD AO3402
中文翻译
30V N-Channel MOSFET
30V N沟道MOSFET
icpdf_datasheet AO3402
中文翻译
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
AOSMD AO3402/A2SSH
中文翻译
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
icpdf_datasheet AO3402L
中文翻译
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
更多AO3402资料...

AO3402详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Not Recommended
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
7.91
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
4 A
最大漏源导通电阻
0.052 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
25 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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