欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
查询:

ao3415 的Datasheet文档资料查询

品牌 型号 描述和应用 下载 货源 预览
SHENZHENFREESCALE AO3415
中文翻译
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Fast switching speed
P通道20 -V (D -S ) MOSFET的开关速度快
晶体开关晶体管脉冲光电二极管
AOSMD AO3415
中文翻译
20V P-Channel MOSFET
20V P沟道MOSFET
晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管
icpdf_datasheet AO3415
中文翻译
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲光电二极管
AOSMD AO3415_11
中文翻译
20V P-Channel MOSFET
20V P沟道MOSFET
AOSMD AO3415A
中文翻译
20V P-Channel MOSFET
20V P沟道MOSFET
晶体晶体管PC
AOSMD AO3415A_11
中文翻译
20V P-Channel MOSFET
20V P沟道MOSFET
AOSMD AO3415AL
中文翻译
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
AOSMD AO3415L
中文翻译
Transistor
晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管
更多AO3415资料...

AO3415详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Not Recommended
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
7.91
Is Samacsys
N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4 A
最大漏极电流 (ID)
4 A
最大漏源导通电阻
0.054 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
110 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
30 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
AO3415资料下载AO3415_11资料下载AO3415A资料下载AO3415A_11资料下载AO3415AL资料下载AO3415L资料下载AO3416资料下载AO3416L资料下载AO3418资料下载AO3418L资料下载