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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 厂家ALPHA 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家AOS-美国万代 
  • 封装8-SOIC 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥6.6元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 厂家AOS/万代 
  • 封装SOIC-8 
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  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家AOS/美国万代 
  • 封装SO-8 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 0755-83225692 QQ:2881475757
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 数量3000 
  • 厂家AOS 
  • 封装SOP-8 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • 数量34500 
  • 厂家AOS/万代 
  • 封装SO-8 
  • 批号17+ 
  • 专业直销原装AOS一系列可订货
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 数量92557 
  • 厂家AOS/万代 
  • 封装SOP-8 
  • 批号2024 
  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 数量35000 
  • 厂家AOS 
  • 封装SOP8 
  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家ALPHA 
  • 封装N/A 
  • 批号2024 
  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 数量45000 
  • 厂家AOS(万代) 
  • 封装SOIC-8_150mil 
  • 批号1年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家AOS/万代 
  • 封装SOP-8 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 数量4300 
  • 厂家AOS 
  • 封装原厂 
  • 批号24+ 
  • 中华地区销售
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  • 0755-88608316 QQ:2853107358QQ:2853107357
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  • 北京顺科电子科技有限公司

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  • 数量5500 
  • 厂家UMWAO 
  • 封装SOP-8 
  • 批号21+ 
  • 进口品牌//国产品牌代理商18911556207
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  • 18911556207 QQ:729566152QQ:1138731127
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家AO 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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产品型号AO4616的概述

芯片AO4616的概述 AO4616是一款高效的n沟道增强型场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和开关电路中。作为半导体器件的一员,AO4616凭借其出色的导通性能、低导通阻抗和高速开关能力,成为电子设备设计中不可或缺的一部分。这款芯片通常用于DC/DC转换器、LED驱动、电机控制以及日常消费电子产品等多个领域,充分展示了现代电子行业对高效能和低功耗设计的需求。 AO4616的采用使得设计师能够在提升性能的同时,降低整体系统的电源损耗。例如,在电源管理应用中,AO4616能有效减少热量散发,从而延长设备的工作寿命。此外,其高温稳定性和抗干扰能力,使其在复杂的电子环境下依然表现优异。 芯片AO4616的详细参数 AO4616主要参数涵盖了多个技术指标,包括但不限于以下几个方面: 1. 电压额定值(VDS): 最大可承受电压为30V,这意味着AO4616能够在较高的电压环境中稳...

产品型号AO4616的Datasheet PDF文件预览

AO4616  
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AO4616 uses advanced trench  
technology MOSFETs to provide excellent  
RDS(ON) and low gate charge. The  
complementary MOSFETs may be used in  
inverter and other applications.Standard  
Product AO4616 is Pb-free (meets ROHS  
& Sony 259 specifications). AO4616L is a  
Green Product ordering option. AO4616  
and AO4616L are electrically identical.  
n-channel  
p-channel  
-30V  
-7.1A (VGS = -10V)  
RDS(ON)  
VDS (V) = 30V  
ID = 8.1A (VGS=10V)  
RDS(ON)  
< 20m(VGS=10V)  
< 28m(VGS=4.5V)  
< 25m(VGS = -10V)  
< 40m(VGS = -4.5V)  
D2  
D1  
1
2
3
4
8
7
6
5
S2  
G2  
S1  
G1  
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
G1  
SOIC-8  
S2  
S1  
n-channel  
p-channel  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Max n-channel  
Max p-channel Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
-30  
±20  
V
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A  
Pulsed Drain CurrentB  
TA=25°C  
TA=70°C  
8.1  
-7.1  
A
ID  
6.5  
-5.6  
IDM  
30  
-30  
TA=25°C  
TA=70°C  
2
2
PD  
W
Power Dissipation  
1.28  
-55 to 150  
1.28  
-55 to 150  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel  
Parameter  
Symbol  
Device  
Typ  
48  
74  
Max Units  
62.5 °C/W  
110 °C/W  
60 °C/W  
Maximum Junction-to-AmbientA  
n-ch  
n-ch  
n-ch  
t 10s  
Steady-State  
Maximum Junction-to-LeadC  
Steady-State  
RθJA  
Maximum Junction-to-AmbientA  
RθJL  
RθJA  
35  
Maximum Junction-to-AmbientA  
p-ch  
p-ch  
p-ch  
48  
74  
35  
62.5 °C/W  
110 °C/W  
40 °C/W  
t 10s  
Maximum Junction-to-AmbientA  
Steady-State  
Maximum Junction-to-LeadC  
Steady-State  
RθJL  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
AO4616  
N-Channel Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
STATIC PARAMETERS  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
ID=250µA, VGS=0V  
30  
V
VDS=24V, VGS=0V  
1
5
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
µA  
TJ=55°C  
IGSS  
Gate-Body leakage current  
Gate Threshold Voltage  
On state drain current  
VDS=0V, VGS=±20V  
VDS=VGS ID=250µA  
VGS=10V, VDS=5V  
100  
3
nA  
V
VGS(th)  
ID(ON)  
1
1.8  
30  
A
V
GS=10V, ID=8.1A  
16.4  
20  
20  
25  
28  
mΩ  
mΩ  
RDS(ON)  
TJ=125°C  
Static Drain-Source On-Resistance  
VGS=4.5V, ID=6A  
VDS=5V, ID=8.1A  
IS=1A  
23.4  
23  
gFS  
VSD  
IS  
Forward Transconductance  
S
V
A
Body-Diode Forward Voltage  
0.75  
1
3
Maximum Body-Diode Continuous Current  
DYNAMIC PARAMETERS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Input Capacitance  
1040  
180  
110  
0.7  
1250  
pF  
pF  
pF  
VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz  
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate resistance  
SWITCHING PARAMETERS  
Qg(10V)  
Total Gate Charge  
Total Gate Charge  
Gate Source Charge  
Gate Drain Charge  
Turn-On DelayTime  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off DelayTime  
Turn-Off Fall Time  
19.2  
9.36  
2.6  
nC  
nC  
nC  
nC  
ns  
Qg(4.5V)  
VGS=10V, VDS=15V, ID=8.1A  
Qgs  
Qgd  
tD(on)  
tr  
4.2  
5.2  
VGS=10V, VDS=15V, RL=1.8,  
RGEN=3Ω  
4.4  
ns  
tD(off)  
tf  
17.3  
3.3  
ns  
ns  
trr  
IF=8.1A, dI/dt=100A/µs  
IF=8.1A, dI/dt=100A/µs  
16.7  
6.7  
21  
10  
Body-Diode Reverse Recovery Time  
Body-Diode Reverse Recovery Charge  
ns  
Qrr  
nC  
A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25°C. The value in any given  
application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t 10s thermal resistance rating.  
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.  
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.  
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25°C. The SOA curve provides  
a single pulse rating.  
Rev 0 : July 2005  
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL  
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING  
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,  
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.  
Alpha Omega Semiconductor, Ltd.  
AO4616  
N-CH TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
30  
25  
20  
15  
10  
5
2.00E+01  
1.60E+01  
1.20E+01  
8.00E+00  
4.00E+00  
0.00E+00  
4V  
10V  
4.5V  
VDS=5V  
3.5V  
125°C  
25°C  
VGS=3V  
0
0
1
2
3
4
5
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
VDS (Volts)  
VGS(Volts)  
Fig 1: On-Region Characteristics  
Figure 2: Transfer Characteristics  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
1.6  
1.4  
1.2  
1
VGS=10V  
ID=8.1A  
VGS=4.5V  
VGS=4.5V  
ID=6A  
VGS=10V  
0.8  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
50  
75  
Temperature (°C)  
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature  
100  
125  
150  
175  
ID (A)  
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate  
Voltage  
50  
1.0E+01  
ID=8.1A  
1.0E+00  
1.0E-01  
1.0E-02  
40  
30  
125°C  
125°C  
25°C  
1.0E-03  
20  
25°C  
1.0E-04  
1.0E-05  
10  
0.0  
0.2  
0.4  
SD (Volts)  
Figure 6: Body-Diode Characteristics  
0.6  
0.8  
1.0  
2
4
6
8
10  
V
V
GS (Volts)  
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
AO4616  
N-CH TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
1500  
1250  
1000  
750  
500  
250  
0
10  
8
VDS=15V  
ID=8.1A  
Ciss  
6
4
Coss  
2
Crss  
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
5
10  
15  
DS (Volts)  
20  
25  
30  
Qg (nC)  
Figure 7: Gate-Charge Characteristics  
V
Figure 8: Capacitance Characteristics  
100.0  
10.0  
1.0  
50  
RDS(ON)  
limited  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
40  
30  
20  
10  
0
10µs  
100µs  
1ms  
10ms  
0.1s  
1s  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
10s  
DC  
0.1  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
Pulse Width (s)  
VDS (Volts)  
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-  
Ambient (Note E)  
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe  
Operating Area (Note E)  
10  
1
D=Ton/T  
J,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA  
RθJA=62.5°C/W  
In descending order  
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse  
T
P
D
0.1  
Ton  
T
Single Pulse  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Pulse Width (s)  
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
AO4616  
P-Channel Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Units  
STATIC PARAMETERS  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
ID=-250µA, VGS=0V  
-30  
V
VDS=-24V, VGS=0V  
-1  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
µA  
-5  
TJ=55°C  
IGSS  
Gate-Body leakage current  
Gate Threshold Voltage  
On state drain current  
VDS=0V, VGS=±20V  
±100  
-2.7  
nA  
V
VGS(th)  
ID(ON)  
V
V
DS=VGS ID=-250µA  
-1.4  
30  
-2  
GS=-10V, VDS=-5V  
A
VGS=-10V, ID=-7.1A  
20  
27  
25  
33  
40  
mΩ  
mΩ  
RDS(ON)  
Static Drain-Source On-Resistance  
TJ=125°C  
VGS=-4.5V, ID=-5.6A  
VDS=-5V, ID=-7.1A  
IS=-1A,VGS=0V  
29  
gFS  
VSD  
IS  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
19.6  
-0.7  
S
V
A
-1  
Maximum Body-Diode Continuous Current  
-4.2  
DYNAMIC PARAMETERS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Input Capacitance  
1573  
319  
211  
6.7  
pF  
pF  
pF  
V
GS=0V, VDS=-15V, f=1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate resistance  
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz  
SWITCHING PARAMETERS  
Qg(10V)  
Qg(4.5V)  
Qgs  
Total Gate Charge (10V)  
Total Gate Charge (4.5V)  
Gate Source Charge  
Gate Drain Charge  
30.9  
16.1  
8
nC  
nC  
nC  
nC  
ns  
V
GS=-10V, VDS=-15V, ID=-7.1A  
Qgd  
4.4  
tD(on)  
tr  
tD(off)  
tf  
Turn-On DelayTime  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off DelayTime  
Turn-Off Fall Time  
9.5  
VGS=-10V, VDS=-15V, RL=2.2,  
8
ns  
R
GEN=3Ω  
44.2  
22.2  
25.5  
14.7  
ns  
ns  
trr  
IF=-7.1A, dI/dt=100A/µs  
IF=-7.1A, dI/dt=100A/µs  
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
ns  
Qrr  
nC  
A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The  
valueinanygivenapplicationdependsontheuser's specificboarddesign. Thecurrent ratingisbasedonthet10s thermalresistance  
rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.  
D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.  
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25°C. The  
SOA curve provides a single pulse rating.  
Rev 0 : July 2005  
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL  
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING  
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,  
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.  
Alpha Omega Semiconductor, Ltd.  
AO4616  
P-CH TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
-10V  
-5V  
VDS=-5V  
-4V  
-3.5V  
125°C  
VGS=-3V  
25°C  
3.5  
0
0
0
1
2
3
4
5
1
1.5  
2
2.5  
3
4
4.5  
5
-VGS(Volts)  
-VDS (Volts)  
Figure 17: Transfer Characteristics  
Fig 16: On-Region Characteristics  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
1.60  
1.40  
1.20  
1.00  
0.80  
ID=-7.1A  
VGS=-4.5V  
VGS=-10V  
VGS=-4.5V  
ID=-5.6A  
VGS=-10V  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
5
10  
15  
20  
25  
Temperature (°C)  
Figure 19: On-Resistance vs. Junction  
Temperature  
-ID (A)  
Figure 18: On-Resistance vs. Drain Current and  
Gate Voltage  
60  
1.0E+01  
1.0E+00  
1.0E-01  
1.0E-02  
1.0E-03  
1.0E-04  
1.0E-05  
1.0E-06  
ID=-7.1A  
50  
40  
30  
20  
10  
125°C  
125°C  
25°C  
25°C  
0.0  
0.2  
0.4  
-VSD (Volts)  
Figure 21: Body-Diode Characteristics  
0.6  
0.8  
1.0  
3
4
5
6
7
8
9
10  
-VGS (Volts)  
Figure 20: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
AO4616  
P-CH TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
2250  
2000  
1750  
1500  
1250  
1000  
750  
10  
8
VDS=-15V  
ID=-7.1A  
Ciss  
6
4
Coss  
Crss  
500  
2
250  
0
0
0
4
8
12  
16  
-Qg (nC)  
20  
24  
28  
32  
0
5
10  
15  
-VDS (Volts)  
20  
25  
30  
Figure 22: Gate-Charge Characteristics  
Figure 23: Capacitance Characteristics  
100.0  
10.0  
1.0  
40  
30  
20  
10  
0
TJ(Max)=150°C, TA=25°C  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
10µs  
100µs  
RDS(ON)  
limited  
0.1s  
1ms  
10ms  
1s  
10s  
DC  
0.1  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
Pulse Width (s)  
-VDS (Volts)  
Figure 25: Single Pulse Power Rating Junction-to-  
Ambient (Note E)  
Figure 24: Maximum Forward Biased Safe  
Operating Area (Note E)  
10  
D=Ton/T  
In descending order  
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse  
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA  
RθJA=62.5°C/W  
1
0.1  
PD  
Ton  
T
Single Pulse  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Pulse Width (s)  
Figure 26: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
配单直通车
AO4616产品参数
型号:AO4616
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:1.53
Is Samacsys:N
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
Base Number Matches:1
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  • 数量*
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