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品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述:MOSFET N-CH 30V 46A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),46A(Tc) 2W(Ta),43W(Tc) UltraSO-8™
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):28nC @ 10V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1452pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2W(Ta),43W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:UltraSO-8™
封装/外壳:3-PowerSMD,引线
标准包装:3,000
其它名称:785-1124-2
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