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  • AP-CF016GE3NR-ETNDNRQ图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • AP-CF016GE3NR-ETNDNRQ
  • 数量96 
  • 厂家APACER 
  • 封装存储器 
  • 批号21+ 
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AP-CF016GE3NR-ETNDNRQ产品参数
型号:AP-CF016GE3NR-ETNDNRQ
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:APACER TECHNOLOGY INC
包装说明:DIE,
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.8
其他特性:IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY
JESD-30 代码:R-XUUC-N50
长度:42.8 mm
内存密度:137438953472 bit
内存集成电路类型:FLASH CARD
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:50
字数:17179869184 words
字数代码:16000000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:16GX8
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3.3 V
座面最大高度:3.4 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:SLC NAND TYPE
宽度:36.4 mm
Base Number Matches:1
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