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AP4435GM产品参数
型号:AP4435GM
生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.62
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:0.02 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):50 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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