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AP4521GEH产品参数
型号:AP4521GEH
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-252
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-5
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):11.7 A
最大漏源导通电阻:0.036 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
元件数量:2
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):50 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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