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APT20M25JNR产品参数
型号:APT20M25JNR
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):1300 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1080 pF
JESD-30 代码:R-PUFM-D4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:520 W
最大功率耗散 (Abs):520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):270 ns
最大开启时间(吨):140 ns
Base Number Matches:1
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