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| 型号: | APT33GF120B2RD |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 包装说明： | , |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 33 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 最大降落时间（tf）： | 160 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大上升时间（tr）： | 170 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
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