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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 封装IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家MICROSEMI-美高森美 
  • 封装SOT-227 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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APT40GP90J产品参数
型号:APT40GP90J
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:ISOTOP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数:4
制造商包装代码:ISOTOP
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.26
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):68 A
集电极-发射极最大电压:900 V
配置:SINGLE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):284 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):215 ns
标称接通时间 (ton):43 ns
VCEsat-Max:3.9 V
Base Number Matches:1
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