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APT45M100J产品参数
型号:APT45M100J
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:ISOTOP
包装说明:ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
针数:4
制造商包装代码:ISOTOP
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.44
其他特性:AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas):4075 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (ID):45 A
最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):260 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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