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| 型号: | APT50GL60BN |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 700 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 200 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 100 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 85 ns |
| 标称断开时间 (toff)： | 55 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 30 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 15 ns |
| VCEsat-Max： | 2.5 V |
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