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| 型号: | APTDF200H170G |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE |
| 最小击穿电压： | 1700 V |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 2.5 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 600 A |
| 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 240 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1700 V |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
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