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  • APTGL180A1202G图
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  • APTGL180A1202G
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  • APTGL180A1202G
  • 数量29500 
  • 厂家Microsemi Corporation 
  • 封装IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2 
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APTGL180A1202G产品参数
型号:APTGL180A1202G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:8.62
最大集电极电流 (IC):220 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
门极-发射极最大电压:20 V
元件数量:1
最高工作温度:175 °C
最大功率耗散 (Abs):750 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:2.2 V
Base Number Matches:1
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