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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • APTGT100DDA60T3G
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  • APTGT100DDA60T3G图
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • APTGT100DDA60T3G
  • 数量5600 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装SP3 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市美森特电子有限公司

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  • APTGT100DDA60T3G
  • 数量2000 
  • 厂家Microsemi Corporation 
  • 封装NOA 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货直销
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产品型号APTGT100DDA60T3G的产品参数和APTGT100DDA60T3G的使用说明

配单直通车
APTGT100DDA60T3G产品参数
型号:APTGT100DDA60T3G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数:25
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X25
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:25
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):340 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):370 ns
标称接通时间 (ton):180 ns
VCEsat-Max:1.9 V
Base Number Matches:1
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