芯片概述
AT24C512BW-SH-T是一种高性能的串行E^2PROM(电可擦可编程只读存储器),它是由Microchip Technology公司设计和生产的。这款芯片具有512K位(64K字节)的存储容量,并采用I^2C接口进行数据传输,支持多种工作模式。由于其高可靠性、低功耗和丰富的功能特性,AT24C512BW-SH-T被广泛应用于各种嵌入式系统和消费电子产品中,尤其在数据记录、配置存储和固件更新等场合表现出色。
详细参数
- 存储容量: 512K位(64K字节) - 工作电压: 1.7V至5.5V - 工作温度范围: -40°C至+85°C - I^2C地址: 7位,支持多达8个设备连接(通过不同的地址) - 最大I^2C频率: 1MHz(下行扩展模式可以达到更高的速度) - 写入周期: 每页写入时间大约为5ms - 擦写周期: 100,000次 - 数据保持时间: 100年 - 封装类型: TSSOP-8、SOIC-8和其他不同封装可选 - 功耗: 在1 MHz工作下,典型静态电流为1μA
厂家、包装、封装
AT24C512BW-SH-T由知名半导体制造商Microchip Technology生产。作为行业内的领导者之一,Microchip专注于提供多样化的微控制器和模拟半导体产品。AT24C512BW-SH-T通常以TSSOP-8、SOIC-8等封装形式提供,每种封装都符合标准结构以便于装配和使用。
封装特点
- TSSOP-8: 适合在有限空间内使用,通常用于紧凑型电路板。 - SOIC-8: 适合于更大的电路板,便于散热和连接。
引脚和电路图说明
AT24C512BW-SH-T芯片有8个引脚,具体引脚功能如下:
1. VCC: 电源引脚,正常工作电压范围为1.7V至5.5V。 2. GND: 地引脚,连接至电路的地面。 3. SCL: 串行时钟引脚,用于接收主设备提供的时钟信号。 4. SDA: 串行数据引脚,进行数据传输。 5. A0 - A2: 地址选择引脚,用于设置I^2C地址,以便连接多个设备。 6. WP: 写保护引脚,连接至高电平时禁止写操作,确保数据不被意外改变。
以下是AT24C512BW-SH-T的基本电路图示例:
+----------------+ | | VCC--| 1 8 --| GND | | A0---| 2 7 --| A2 | | A1---| 3 6 --| SDA | | | 4 5 --| SCL +----------------+
使用案例
AT24C512BW-SH-T被广泛应用于各类电子设备中,以下是几个具体的应用案例:
1. 电子产品中的配置信息存储: 在许多消费电子产品中,AT24C512BW-SH-T可用于存储设备的配置数据,如参数设定、用户首选项等,以便在设备断电后仍能保留这些信息。例如,在智能家居设备中,温度设定和定时程序均可存储在此E^2PROM中。
2. 数据记录器: 在工业自动化和环境监测中,AT24C512BW-SH-T可以用作数据记录器的存储介质,记录实时数据如温度、湿度或压力。由于其较长的数据保持时间,这款芯片在数据长时间存储方面表现尤为出色。
3. 设备固件更新: 在许多嵌入式系统中,AT24C512BW-SH-T可用作固件的存储器。通过I^2C接口,主控芯片可以方便地更新存储在E^2PROM中的程序代码,从而为设备提供新的功能或修复原有的问题。
4. 智能卡: 在智能卡或令牌装置中,AT24C512BW-SH-T可以作为数据存储介质,保存用户身份信息及相关数据。其小巧的尺寸使其非常适合嵌入式应用。
5. 医疗设备: 在医疗监测设备中,AT24C512BW-SH-T可以存储病人的监测数据,包括心率、血压等重要信息。由于其低功耗特性,能够有效延长设备的持续使用时间。
6. 工业机器的配置存储: 在专用工业设备中,AT24C512BW-SH-T可以存储机器的设定参数,如速度、行程等,以便维护和调校。
通过上述案例可以看出,AT24C512BW-SH-T在多个领域中的实用性与灵活性,使其成为了电子设计师和工程师们的优先选择。
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型号: | AT24C512BW-SH-T |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | ATMEL CORP |
零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.3 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值: | 40 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 |
长度: | 5.29 mm |
内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.16 mm |
串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.000001 A |
子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 5.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE |
Base Number Matches: | 1 |
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