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ATMEL AT45DB041D-SU
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4-megabit 2.5-volt or 2.7-volt DataFlash
4兆位2.5伏或2.7伏的DataFlash
ATMEL AT45DB041D-SU
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4兆位2.5伏或2.7伏的DataFlash
ATMEL AT45DB041D-SU-2.5
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内存集成电路光电二极管时钟
ATMEL AT45DB041D-SU-2.5
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4兆位2.5伏或2.7伏的DataFlash
内存集成电路光电二极管时钟
ATMEL AT45DB041D-SU-SL954
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4-megabit 2.5-volt or 2.7-volt DataFlash
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闪存存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM时钟
ATMEL AT45DB041D-SU-SL955
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闪存存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM时钟
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AT45DB041D-SU详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
零件包装代码
SOIC
包装说明
0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, EIAJ, SOIC-8
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
4.26
其他特性
ORGANIZED AS 2048 PAGES OF 264 BYTES EACH
最大时钟频率 (fCLK)
66 MHz
数据保留时间-最小值
20
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
长度
5.29 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
1
湿度敏感等级
2
功能数量
1
端子数量
8
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
4MX1
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3/3.3 V
编程电压
2.7 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2.16 mm
串行总线类型
SPI
最大待机电流
0.00001 A
子类别
Flash Memories
最大压摆率
0.017 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
类型
NOR TYPE
宽度
5.24 mm
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches
1
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