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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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AT45DB081B-TC产品参数
型号:AT45DB081B-TC
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ATMEL CORP
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数:28
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.8
其他特性:ORGANIZED AS 4096 PAGES OF 264 BYTES EACH
最大时钟频率 (fCLK):20 MHz
JESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm
内存密度:8650752 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:28
字数:1081344 words
字数代码:1081344
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1081344X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
类型:NOR TYPE
宽度:8 mm
写保护:HARDWARE
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