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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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ATF-55143-TR1G产品参数
型号:ATF-55143-TR1G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.08
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A
最大漏极电流 (ID):0.1 A
FET 技术:HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:0.27 W
最小功率增益 (Gp):15.5 dB
认证状态:Not Qualified
子类别:FET RF Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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