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AZ358M产品参数
型号:AZ358M
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.87
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.2 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.2 µA
标称共模抑制比:90 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电压:5000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm
低-失调:NO
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:+-1.5/+-9/3/18 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
子类别:Operational Amplifiers
最大压摆率:1.5 mA
供电电压上限:20 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:BIPOLAR
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最小电压增益:17780
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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