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BC639产品参数和技术文档

BC639产品图

BC639产品参考价格

BC639产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN 80V 1A TO-92
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值
625mW
频率 - 跃迁
200MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装
TO-92-3
基本零件编号
BC639
标准包装
5,000
其它名称
BC639-ND BC639OS
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
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  • 厂家
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