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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 厂家GeneSiC Semiconductor 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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BR82产品参数
型号:BR82
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:S-PUFM-W4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.71
最小击穿电压:200 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流:125 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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