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BSL606SNH6327XTSA1产品参数

品牌：

Infineon Technologies

描述：

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

详细描述：

表面贴装 N 沟道 60V 4.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6

制造商

Infineon Technologies

系列

汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™

包装

带卷（TR）

零件状态

在售

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

4.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

60 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

2.3V @ 15µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

5.6nC @ 5V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

657pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

PG-TSOP6-6

封装/外壳

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

标准包装

3,000

其它名称

BSL606SNH6327XTSA1-ND BSL606SNH6327XTSA1TR SP000691164