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  • 集好芯城

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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BSM50GD120DN2产品参数
型号:BSM50GD120DN2
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-T17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.6
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):72 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):100 ns
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-T17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:2100 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):100 ns
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):500 ns
标称断开时间 (toff):380 ns
最大开启时间(吨):100 ns
标称接通时间 (ton):44 ns
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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