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BAS16/T1详细参数

生命周期

Obsolete

IHS 制造商

ON SEMICONDUCTOR

包装说明

R-PDSO-G3

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.70

风险等级

5.03

Is Samacsys

N

其他特性

ULTRA FAST

配置

SINGLE

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1 V

JESD-30 代码

R-PDSO-G3

湿度敏感等级

1

元件数量

1

端子数量

3

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-55 °C

最大输出电流

0.2 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

最大功率耗散

0.35 W

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

85 V

最大反向恢复时间

0.006 µs

子类别

Rectifier Diodes

表面贴装

YES

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

Base Number Matches

1