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BAS19LT1G产品参数
型号:BAS19LT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:TO-236, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:318-08
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.54
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/301289.3.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=301289
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=301289
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=301289
Samacsys PartID:301289
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/BAS19LT1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/3/BAS19LT1G.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Diode
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:BAS19LT1G
Samacsys Released Date:2018-01-24 13:42:20
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:2.5 A
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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