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  • BAS285-GS18图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • BAS285-GS18图
  • 北京首天国际有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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BAS285-GS18产品参数
型号:BAS285-GS18
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码:DO-213AA
包装说明:O-LELF-R2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.68
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=570654
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=570654
Samacsys PartID:570654
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/BAS285-GS18.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/BAS285-GS18.jpg
Samacsys Pin Count:2
Samacsys Part Category:Schottky Diode
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:QuadroMELF SOD-80
Samacsys Released Date:2019-02-23 17:54:58
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.24 V
JEDEC-95代码:DO-213AA
JESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:5 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):250
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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