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BAS35产品参数
型号:BAS35
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
制造商包装代码:318BM
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:0.86
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.75 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:1 A
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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