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| 型号: | BAS35S62Z |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 90 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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