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BAV70W-T产品参数
型号:BAV70W-T
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
零件包装代码:SC-70
包装说明:R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.2
Is Samacsys:N
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:2.5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES
端子面层:TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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