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BAV99LT1G详细参数

是否无铅

不含铅

生命周期

Active

IHS 制造商

ON SEMICONDUCTOR

零件包装代码

SOT-23

包装说明

R-PDSO-G3

针数

3

制造商包装代码

318-08

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.70

Factory Lead Time

1 week

风险等级

1.06

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

0.715 V

JEDEC-95代码

TO-236

JESD-30 代码

R-PDSO-G3

JESD-609代码

e3

湿度敏感等级

1

最大非重复峰值正向电流

2 A

元件数量

2

端子数量

3

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-65 °C

最大输出电流

0.215 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

260

最大功率耗散

0.225 W

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

100 V

最大反向恢复时间

0.006 µs

子类别

Rectifier Diodes

表面贴装

YES

端子面层

Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

40

Base Number Matches

1