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ONSEMI BAV99LT1G
中文翻译
Monolithic Dual Switching Diode
单片双开关二极管
整流二极管开关光电二极管
ONSEMI BAV99LT1G
中文翻译
Dual Series Switching Diode
双系列开关二极管
整流二极管开关光电二极管
ONSEMI BAV99LT1G
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Monolithic Dual Switching Diode
单片双开关二极管
整流二极管开关光电二极管
ONSEMI BAV99LT1G
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Dual Series Switching Diode
双系列开关二极管
整流二极管开关光电二极管
ONSEMI BAV99LT1G
中文翻译
Monolithic Dual Switching Diode
单片双开关二极管
整流二极管开关光电二极管
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BAV99LT1G详细参数

Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
SOT-23
包装说明
R-PDSO-G3
针数
3
制造商包装代码
318-08
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.70
Factory Lead Time
1 week
风险等级
1.06
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.715 V
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值正向电流
2 A
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
0.215 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
最大功率耗散
0.225 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
100 V
最大反向恢复时间
0.006 µs
子类别
Rectifier Diodes
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
Base Number Matches
1
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