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  • 深圳市广百利电子有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • BAW56W图
  • 深圳市欧昇科技有限公司

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产品型号BAW56的概述

芯片BAW56的概述 BAW56是一种广泛应用于电子设备中的双极型二极管,属于肖特基二极管家族。其在信号处理、电源管理和交流应用中拥有良好的性能表现,特别是在高频应用场景下。由于其独特的结构特性,BAW56提供了较低的正向压降和较快的开关速度,因此非常适合用于检波器、开关电源及视频信号处理等领域。BAW56的广泛应用使其成为电子工程师设计电路时的重要选择之一。 芯片BAW56的详细参数 BAW56的电气特性参数如下: 1. 正向电压(Vf): 在I_F = 10mA时,正向电压约为0.60V。 2. 反向电流(Ir): 在V_R = 30V时,反向电流约为25nA。 3. 最大反向电压(VRRM): 可承受的最大反向电压为30V。 4. 最大正向电流(IF): 最大正向电流可达到200mA。 5. 工作温度范围: 推荐的工作温度范围为-55°C至+125°C。 6. 功率耗散(P_D)...

产品型号BAW56的Datasheet PDF文件预览

Dual Series Switching Diode  
Formosa MS  
BAL99  
BAW56  
BAV70  
SOT-23  
BAV99  
Silicon epitaxial planar type  
Features  
(B)  
(A)  
(C)  
Small surface mounting type  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.20)  
0.028 (0.70)  
0.020 (0.50)  
High reliability  
0.102 (2.60)  
0.094 (2.40)  
High speed ( trr < 1.5 ns )  
R 0.05  
(0.002)  
0.045 (1.15)  
0.033 (0.85)  
Mechanical data  
Case : SOT-23  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Mounting Position : Any  
SINGLE(Alt)  
COMMON ANODE COMMON CATHODE  
SERIES  
BAL99  
BAW56  
BAV70  
BAV99  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
CONDITIONS  
Symbol  
VRRM  
VR  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
70  
70  
V
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Forward current  
tp= 1 us  
IFSM  
IFRM  
IF  
2.0  
450  
215  
715  
225  
175  
+150  
A
mA  
mA  
mA  
mW  
Average forward current  
Power dissipation  
VR = 0  
IFAV  
PD  
o
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
C
o
TSTG  
-55  
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
VF  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
0.855  
1.250  
2.5  
UNIT  
V
IF = 10mA  
IF = 150mA  
VR = 70V  
Forward voltage  
VF  
V
IR  
uA  
uA  
uA  
V
o
VR = 20V , Tj = 150 C  
Reverse current  
IR  
30  
o
VR = 70V , Tj = 150 C  
IR  
50  
Breakdown current  
Diode capacitance  
Reverse recovery time  
IR = 100uA , TP/T = 0.01 TP = 0.3ms  
VR = 0 , f = 1MHz , VHF = 50mV  
V(BR)  
CD  
70  
1.5  
6
pF  
ns  
IF =10mA, VR = 10mA, IRR = 0.1 X IR, RL=100OHM  
trr  
RATINGAND CHARACTERISTIC CURVES for each diode (BAL99 BAW56 BAV70 BAV99)  
FIG.1-TYPICAL FORWARD  
FIG.2 - Leakage Current  
CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTICS  
100  
10  
o
TA=150 C  
o
TA=125 C  
1.0  
10  
o
TA=85 C  
o
TA=85 C  
0.1  
o
TA=25 C  
1.0  
o
TA=55 C  
0.01  
o
TA=-40 C  
o
TA=25 C  
0.1  
0.2  
0.001  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
10  
20  
30  
40  
50  
FORWARD VOLTAGE,(V)  
REVERSE VOLTAGE, (V)  
FIG.3-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
0.68  
0.64  
0.60  
0.56  
0.52  
0
2
4
6
8
REVERSE VOLTAGE,(V)  
820 OHM  
+10V  
2 K  
100uH  
0.1 uF  
tp  
10%  
t
tr  
IF  
t
tr  
0.1 uF  
DUT  
90%  
50 OHM OUTPUT  
PULSE  
50 OHM INPUT  
SAMPLING  
IR(REC)=1 mA  
GENERATOR  
OSCILLOSCOPE  
VR  
OUTPUT PULSE  
(IF=IR=10mA;measured  
at iR(REC)=1mA)  
Notes :  
1. A2.0 Kohm variable resistor adjusted for a forward Current (IF) of 10mA.  
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.  
3. tp >>trr.  
Notes:  
Notes:  
t
Recovery Time Equivalent Test Circuit  

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