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| 型号: | BB619 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | CAPACITANCE MATCHED TO 2.5% FOR ANY TWO DIODES |
| 最小击穿电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 10.06% |
| 最小二极管电容比： | 12.5 |
| 标称二极管电容： | 37.25 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 0.01 µA |
| 反向测试电压： | 30 V |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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