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| 型号: | BB809T/R |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | CAPACITANCE MATCHED TO 3% FOR ANY TWO DIODES |
| 最小击穿电压： | 30 V |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 最小二极管电容比： | 8 |
| 标称二极管电容： | 39 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | DO-34 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 100 °C |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 0.01 µA |
| 反向测试电压： | 28 V |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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