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| 型号: | BBY6605WE6327HTSA1 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | HIGH Q |
| 最小击穿电压： | 12 V |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管电容容差： | 4% |
| 最小二极管电容比： | 5 |
| 标称二极管电容： | 68.7 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
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