BC639产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：TRANS NPN 80V 1A TO-92

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：散装

零件状态：停產

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：625mW

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装：TO-92-3

基本零件编号：BC639

标准包装：5,000

其它名称：BC639-ND BC639OS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）