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  • 深圳市广百利电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 批号N/A 
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 厂家Infineon/英飞凌 
  • 封装SOT363 
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  • ★原装真实库存★13点税!
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家Infineon(英飞凌) 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 集好芯城

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  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装SOT363 
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  • 原装原厂 现货现卖
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家PHI国产 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 厂家PHI国产 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家Infineon 
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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家CJ长电 
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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 数量4500 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT363 
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  • 全新原装现货特价销售!
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 数量26540 
  • 厂家INFINEON 
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装原厂封装 
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量8963 
  • 厂家√ 欧美㊣品 
  • 封装贴◆插 
  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 数量55000 
  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装SOT-363 
  • 批号24+ 
  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 数量15321 
  • 厂家SIEMENS 
  • 封装SC70-6 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 数量214650 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-363 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量15000 
  • 厂家NXP/恩智浦 
  • 封装SC70-6 
  • 批号23+ 
  • 全新原装现货,价格优势
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家Texas Instruments 
  • 封装贴/插片 
  • 批号16+ 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量8966 
  • 厂家√ 欧美㊣品 
  • 封装贴◆插 
  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量236000 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装车规-元器件 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥0.9元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • BC857S
  • 数量74623 
  • 厂家NXP/恩智浦 
  • 封装SOT-363 
  • 批号23+ 
  • 原装现货实单可谈样品可出
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BC857S
  • 数量83500 
  • 厂家CJ-长电 
  • 封装SOT-363 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量5025 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 0755-22655674 QQ:1686616797QQ:2440138151
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BC857SE6327
  • 数量78800 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装SOT-363 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BC857S
  • 数量236000 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SC-70-6 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥0.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装SOT-363 
  • 批号最新批号 
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT-363 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量13500 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装REEL 
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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • BC857S
  • 数量33400 
  • 厂家NXP/恩智浦 
  • 封装SOT-363 
  • 批号12+ 
  • 直销原装正品价优
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产品型号BC857S的概述

芯片BC857S的概述 BC857S是一款广泛应用于各种电子电路的NPN型低功耗晶体管。其设计主要用于信号放大和开关应用,因此在现代电子设备中占据重要位置。BC857S具有优良的温度特性和频率响应,使其特别适合于高增益、低噪声的应用场合。 作为一款无铅产品,BC857S符合RoHS标准,确保了其在环境保护方面的合规性。这使得BC857S在全球范围内的电子产品制造中得以广泛使用。 芯片BC857S的详细参数 BC857S的主要参数包括: - 类型:NPN - 最大集电极-基极电压(Vcb):45V - 最大集电极-发射极电压(Vce):45V - 最大发射极-基极电压(Veb):5V - 最大集电极电流(Ic):100mA - 直流电流增益(hFE):在5V时的范围为100至800,具体值与电流和温度相关。 - 功耗(Ptot):500mW - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C...

产品型号BC857S的Datasheet PDF文件预览

BC 857S  
PNP Silicon AF Transistor Array  
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Two ( galvanic) internal isolated Transistors  
with high matching in one package  
Type  
Marking Ordering Code  
3Cs Q62702-C2373  
Pin Configuration  
1/4=E1/E2 2/5=B1/B2  
Package  
3/6=C2/C1  
BC 857S  
SOT-363  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
Peak collector current  
V
V
V
V
45  
50  
V
CEO  
CBO  
CES  
EBO  
50  
5
I
I
100  
mA  
C
200  
CM  
250  
mW  
°C  
Total power dissipation, T = 115 °C  
P
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65...+150  
stg  
Thermal Resistance  
Junction ambient 1)  
R
R
275  
140  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
2
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm Cu  
Semiconductor Group  
1
May-12-1998  
BC 857S  
Electrical Characteristicsat T =25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ.  
Unit  
min.  
45  
50  
50  
5
max.  
DC Characteristics per Transistor  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
-
-
-
-
-
-
-
-
V
(BR)CEO  
I = 10 mA, I = 0  
C
B
Collector-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
V
(BR)CBO  
C
B
Collector-emitter breakdown voltage  
I = 10 µA, V = 0  
V
-
(BR)CES  
C
BE  
Emitter-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
V
-
(BR)EBO  
E
C
Collector cutoff current  
= 30 V, I = 0  
I
-
15  
5
nA  
µA  
-
CBO  
V
CB  
E
Collector cutoff current  
= 30 V, I = 0 , T = 150 °C  
I
-
CBO  
V
CB  
E
A
DC current gain 1)  
I = 10 µA, V = 5 V  
h
FE  
-
250  
290  
-
C
CE  
I = 2 mA, V = 5 V  
200  
630  
C
CE  
Collector-emitter saturation voltage1)  
I = 10 mA, I = 0.5 mA  
V
mV  
CEsat  
-
-
75  
300  
650  
C
B
I = 100 mA, I = 5 mA  
250  
C
B
Base-emitter saturation voltage 1)  
I = 10 mA, I = 0.5 mA  
V
BEsat  
-
-
700  
850  
-
-
C
B
I = 100 mA, I = 5 mA  
C
B
Base-emitter voltage 1)  
I = 2 mA, V = 5 V  
V
BE(ON)  
600  
-
650  
-
750  
820  
C
CE  
I = 10 mA, V = 5 V  
C
CE  
1) Pulse test: t < 300µs; D < 2%  
Semiconductor Group  
2
May-12-1998  
BC 857S  
Electrical Characteristicsat T =25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ.  
Unit  
min.  
max.  
AC Characteristics per Transistor  
Transition frequency  
f
-
-
-
-
-
-
-
250  
3
-
-
-
-
-
-
-
MHz  
pF  
T
I = 20 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
C
CE  
Collector-base capacitance  
= 10 V, f = 1 MHz  
C
C
cb  
V
CB  
Emitter-base capacitance  
= 0.5 V, f = 1 MHz  
10  
4.5  
2
eb  
V
EB  
Short-circuit input impedance  
I = 2 mA, V = 5 V, f = 1 kHz  
h
h
h
h
k  
11e  
12e  
21e  
22e  
C
CE  
-4  
Open-circuit reverse voltage transfer ratio  
I = 2 mA, V = 5 V, f = 1 kHz  
10  
C
CE  
Short-circuit forward current transfer ratio  
I = 2 mA, V = 5 V, f = 1 kHz  
330  
30  
-
C
CE  
Open-circuit output admittance  
I = 2 mA, V = 5 V, f = 1 kHz  
µS  
C
CE  
Semiconductor Group  
3
May-12-1998  
BC 857S  
Total power dissipationP = f (T *;T )  
tot  
A
S
* Package mounted on epoxy  
300  
mW  
T
S
P
tot  
200  
150  
100  
50  
T
A
0
°C  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
150  
T ,T  
A
S
Permissible Pulse LoadR  
= f (t )  
Permissible Pulse Load  
thJS  
p
P
/ P  
= f (t )  
totmax  
totDC  
p
3
10 3  
10  
K/W  
-
2
10  
P
totmax  
/ P  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
R
thJS  
totDC  
10 2  
10 1  
10 0  
1
0
10  
10  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
0.2  
0.5  
10 -1  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Semiconductor Group  
4
May-12-1998  
BC 857S  
Transition frequencyf = f (I )  
Collector-base capacitätC = f (V  
)
T
C
CB  
CBO  
V
CE  
= 5V  
Emitter-base capacitätCEB = f (V  
)
EBO  
Collector cutoff currentI  
= f (T )  
Collector-emitter saturation voltage  
I = f (V ), h = 20  
CBO  
A
V
= 30V  
CB  
C
CEsat  
FE  
Semiconductor Group  
5
May-12-1998  
BC 857S  
DC current gain h = f (I )  
Base-emitter saturation voltage  
I = f (V ), h = 20  
FE  
C
V
CE  
= 5V  
C
BEsat  
FE  
Semiconductor Group  
6
May-12-1998  
配单直通车
BC857S产品参数
型号:BC857S
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:SECOS CORP
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.59
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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