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  • BC858CDW1T13LV图
  • 八零友创集团

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  • BC858CDW1T13LV 现货库存
  • 数量685600 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT236 
  • 批号22+ 
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  • 0755-88601790 QQ:2880720332QQ:2880720334
  • BC858CDW1T13LV图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BC858CDW1T13LV
  • 数量18800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-23.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
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配单直通车
BC858CDW1T1G产品参数
型号:BC858CDW1T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:End Of Life
零件包装代码:SC-88
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
针数:6
制造商包装代码:419B-02
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.37
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):420
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.38 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1
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