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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • BCM8512BIPB-P21
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  • BCM8512BIPB-P21图
  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • BCM8512BIPB-P21
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  • 厂家专注BCM禁运停产军工冷偏等物料 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • BCM8512BIPB-P21
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产品型号BCM8512BIPB-P21的产品参数和BCM8512BIPB-P21的使用说明

配单直通车
BCM856BS产品参数
型号:BCM856BS
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
零件包装代码:SC-88
包装说明:PLASTIC, SMD, SC-88, 6 PIN
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.26
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:65 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):175 MHz
Base Number Matches:1
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